大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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